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IonisatorenNeue High Power PhotoMOS Relais
27 May 2009
Die neuen High Power PhotoMOS der Serie AQV251G von Panasonic Electric Works ermöglichen auf engstem Raum das verschleißfreie und zuverlässige Schalten von AC wie DC Niederspannungslasten bis max. 30V (peak).
Insbesondere wenn die Lebensdauer elektromechanischer Relais unter den gewünschten Anforderungen der Applikation liegt, können die neuen PhotoMOS Relais ihre Vorteile voll und ganz ausspielen. Durch den Einsatz modernster MOSFET Transistoren am Ausgang der AQV251G, ist es möglich einen typischen Übergangswiderstand von lediglich 0,035# zu realisieren. Bedingt durch den geringen Verlust am Ausgang, kann der maximale Dauerlaststrom bei Raumtemperatur mit einem Strom von 3,5A spezifiziert werden.
Die wesentlichen Vorteile auf einen Blick:
- unbegrenzte Lebensdauer
- Lastbereich 30V / 3,5A
- konstante elektrische Eigenschaften
- geringer Steuerstrom
- schnelles, prellfreies und geräuschloses Schalten
- galvanische Trennung zwischen Ein- und Ausgang
- I/O Isolation 1,5kVrms
- Kompaktes 6-pin DIP/ SMD Gehäuse
PhotoMOS High Power Relais eignen sich ideal für alle Anwendungsbereiche, die eine hohe Lebensdauer und konstante elektrische Eigenschaften fordern. Einsatz finden die Relais z.B. bei der Realisierung von wartungsfreien SPS Ausgangsmodulen, Industrieanlagen oder auf Grund des geringen Übergangswiderstands in der Messtechnik.
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